浪涌抑制晶閘管P61089B是國(guó)巨君耀推出的SOP-8封裝雙線可編程瞬態(tài)電壓抑制器,也是半導(dǎo)體放電管(Thyristor Surge Suppressors,簡(jiǎn)稱TSS)。具有低動(dòng)態(tài)開關(guān)電壓,-155V寬負(fù)點(diǎn)火電壓(VMGL ),IGT電流上限5mA,保持電流上限大于150mA,10 ~ 100 pf結(jié)電容的特性,可以滿足數(shù)據(jù)傳輸和低功耗電路的質(zhì)量要求。需要注意的是其本體絲印是H61089B。
國(guó)巨君耀浪涌抑制晶閘管有SOP8、SMA、SMB三種封裝,P61089B是截至2004年9月量產(chǎn)的唯一一款SOP8封裝的半導(dǎo)體放電管。
半導(dǎo)體放電管P61089B采用半導(dǎo)體工藝制成的PNPN結(jié)四層結(jié)構(gòu)器件,具有典型的開關(guān)特性,主要用于保護(hù)電路免受過電壓的損害,特別是在異常過電壓出現(xiàn)浪涌電流時(shí),能夠快速導(dǎo)通并泄放超出正常需要的電流,從而保護(hù)后端設(shè)備。
優(yōu)點(diǎn):
- P61089B不會(huì)老化,并在短路時(shí)提供故障安全模式,以提供更好的保護(hù)。
- 該裝置專為保護(hù)2個(gè)新的高壓以及經(jīng)典的SLIC免受瞬態(tài)過電壓而設(shè)計(jì)。
- 正過電壓由2個(gè)二極管箝位。負(fù)浪涌由2個(gè)晶閘管抑制,它們的擊穿電壓通過柵極參考-VBAT。
- 具有非常低的柵極觸發(fā)電流(IGT),以減少啟動(dòng)階段電路板上的電流消耗。
- P61089B不會(huì)老化,并在短路時(shí)提供故障安全模式,以提供更好的保護(hù)。如果電子設(shè)備需要通過UL1950、IEC950/CSA C22.2、UL1459和FCC第68部分的認(rèn)證,建議選用P61089B這款雙線可編程瞬態(tài)電壓抑制器。
特點(diǎn)
- 雙線可編程瞬態(tài)電壓抑制器
- 低動(dòng)態(tài)開關(guān)電壓:VFP和VDGL
- 寬負(fù)點(diǎn)火電壓范圍:VMGL=-155V
- 低柵極觸發(fā)電流:IGT≤5mA
- 保持電流:IH>150mA
- 無鹵素,符合環(huán)保要求;
- 標(biāo)記(marking):H61089B
引腳說明
額定值表: