“HiSIM_SOI”晶體管模型已成國際標準

   近日，廣島大學開發(fā)的晶體管模型“HiSIM_SOI”已成為國際標準。

　　HiSIM_SOI是SOI基板上的晶體管的模型，已于2012年7下旬被電路模擬用晶體管模型（即集約模型）國際標準化機構“CMC：Compact Modeling Council”接納為SOI晶體管的CMC標準。
 
　　HiSIM_SOI的基礎是Bulk基板MOS晶體管模型“HiSIM2：Hiroshima- university STARC IGFET Model 2”。這是廣島大學在日本半導體理工學研究中心（STARC）的協(xié)助下開發(fā)的，已于2011年4月被選為CMC標準。將HiSIM2擴展到高耐壓晶體管的“HiSIM_HV”（最初名稱為“HiSIM LDMOS”）于2007年12月被選為CMC標準。此次，HiSIM_SOI又被選為CMC標準，這樣日本共有三個HiSIM模型成為國際標準。
 
　　據出席會議的獨立行政法人日本產業(yè)技術綜合研究所（產綜研）介紹，獲得三個CMC標準的全球只有美國加州大學伯克利分校（UCB）和廣島大學兩所學校。不過，據產綜研介紹，在UCB的三個CMC標準中，BSIM（Bulk MOS晶體管）和BSIM-SOI都是老一代晶體管模型（即閾值電壓模型），而廣島大學的HiSIM模型都是克服了閾值電壓模型弱點的表面電位模型，從發(fā)展前景來看，可以說廣島大學的三個CMC標準模型比UCB的三個標準模型更勝一籌。
 

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