II類介質(zhì)的溫度系數(shù)是以在室溫基準(zhǔn)值上變化的百分?jǐn)?shù)來表示的,其變化量較線性介質(zhì)大了好幾個(gè)數(shù)量級。
B.貼片電容介質(zhì)的分類
I類介質(zhì)由于其采用非鐵電配方,以TiO2為主要成分(介電常數(shù)小于150), 因此具有最穩(wěn)定的性能。通過添加少量其他(鐵電體)氧化物,如CaTiOs或SrTi〇3,構(gòu)成 "擴(kuò)展型"溫度補(bǔ)償陶瓷則可表現(xiàn)出近似線性的溫度系數(shù),介電常數(shù)增加至500。兩種類型 的介質(zhì)都適用于電路中對穩(wěn)定性要求很高的電容器,即介電常數(shù)無老化或老化可忽略不計(jì), 低損耗(DF<0.001,或?qū)τ跀U(kuò)展型T.C.介質(zhì)DF<0.002),容量或介質(zhì)損耗隨電壓或頻率的變 化為零或可忽略不計(jì)以及線性溫度特性不超出規(guī)定的公差。
用“字母-數(shù)字-字母”這種代碼形式來表示I類陶瓷溫度系數(shù)的方法已經(jīng)被廣泛應(yīng)用, 并被美國電子工業(yè)協(xié)會(EIA)標(biāo)準(zhǔn)198所采用。 |
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片式電容器中最常用的I類介質(zhì)是C0G,溫度系數(shù)為0 ppm/°C±30 ppm/°C |
MIL標(biāo)準(zhǔn)中的NPO (負(fù)一正一零),其具有很平的溫度系數(shù)。
實(shí)際測量的溫度系數(shù)并非符合完美的線性關(guān)系,但只要其數(shù)值不超出E1A代碼最后一個(gè) 字母所規(guī)定的公差范圍就可以接受:
舉例:
C0G -0 ppm/°C±30 ppm/C (N220)
S2L -330 ppm/C±500 ppm/C (N330)
U2J -750 ppm/°C 土 120 ppm/C (N750)
M7G -100 ppm/C±30 ppm/C (P100)
II類介質(zhì)由節(jié)H中所介紹的鐵電體所組成。這類介質(zhì)的介電常數(shù)比I類介質(zhì)高得多,但 其性能隨溫度、電壓、頻率和時(shí)間變化的穩(wěn)定性較差。由于鐵電陶瓷性能的多樣化,有必要 根據(jù)溫度特性將此類介質(zhì)分為兩個(gè)亞類。
“穩(wěn)定的中K” II類瓷,以25C為基準(zhǔn),在-55C到125C的范圍內(nèi)最大溫度系數(shù)為土 15%。此種介質(zhì)的介電常數(shù)在600到4000之間,與EIA中X7R的性質(zhì)相符。
“高K” II類瓷,溫度系數(shù)超出X7R的水平。這種高K介質(zhì)的介電常數(shù)高達(dá) 4000?18000,但溫度系數(shù)曲線非常陡峭,原因在于居里點(diǎn)移動到室溫附近,出現(xiàn)了最大的 介電常數(shù)。
a |
b |
c |
d |
e |
f |
下限工作溫度℃ |
a列的代碼 |
上限工作溫度℃ |
c列的代碼 |
最大容量變化率 ±%AC |
e列的代碼 |
+10 |
Z |
+45 |
2 |
1.0 |
G |
-30 |
Y |
+65 |
4 |
1.5 |
H |
-55 |
X |
+85 |
5 |
2.2 |
J |
|
|
+105 |
6 |
3.3 |
K |
|
|
+125 |
7 |
4.7 |
L |
|
|
+150 |
8 |
7.5 |
M |
|
|
|
|
10.0 |
P |
|
|
|
|
15.0 |
R |
|
|
|
|
22.0 |
S |
|
|
|
|
+22-33 |
T |
|
|
|
|
+22-56 |
U |
|
|
|
|
+22-82 |
V |
用于片式電容器制造的最普遍的中K材料為X7R(-55C到125C內(nèi)A C最大值土 15%)。 而對于高K類材料,Z5U (+10C到+85C內(nèi)A C最大值+22%?-56%)和Y5V (-30C到+85℃^A C最大值+22%?-82%)最為常用。(本文鏈接:http://m.rifengwujin.cn/tech/2689.html)
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