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貼片電容溫度特性Tcc詳解

貼片電容的溫度系數(shù)問題在也是部分工程師需要了解的一個(gè)基本參數(shù)。以下就貼片電容溫度系數(shù)的計(jì)算公式說起,并列表說明了常用一類和二類電容溫度系數(shù)不同的材料原因以及溫度系數(shù)表示方法表格。從而對理解溫度特性Tcc給出一個(gè)比較完整的說明。如有其它疑問,請直接登錄風(fēng)華電容代理商m.rifengwujin.cn官方網(wǎng)站咨詢在線客服,或致電400-888-5058咨詢。

A.什么是貼片電容溫度系數(shù)(容量一溫度特性):


通過調(diào)整配方將居里點(diǎn)尖峰移至室溫附近的高K介質(zhì)在25°C時(shí)展現(xiàn)出極高的介電常數(shù), 但同時(shí),不管是升溫還是降溫,K值都會出現(xiàn)非常大的變化。而低K介質(zhì),其配方系統(tǒng)使得 居里尖峰被壓低和寬化,因此能如人們所希望的那樣表現(xiàn)出更佳的穩(wěn)定性。

I類瓷的溫度系數(shù)(T.C.)用ppm/C表示,而II類瓷用%AC。測量溫度系數(shù)的方法是 將片式電容器樣品置于溫度可控的溫度實(shí)驗(yàn)室或“T.C.”實(shí)驗(yàn)室中,精確地讀取不同溫度(通 常為-55C、25C、125C)下的電容量。顯然,精密的夾具和測試儀器就變得非常重要了, 特別是測量小電容量時(shí),其ppm/C數(shù)值非常小,容量較基準(zhǔn)值的變化往往遠(yuǎn)小于1皮法。 由于存在去老化性,因此在測高K的II類介質(zhì)時(shí)就必須注意。如果在加熱過程中對去老化的 樣品進(jìn)行測量,其T.C.結(jié)果肯定是錯(cuò)誤的;所以T.C.測量必須在對電容器去老化后至少一個(gè) 小時(shí)才能進(jìn)行。

采用下面的表達(dá)式就可以計(jì)算出任何給定的溫度范圍內(nèi)I類介質(zhì)的溫度系數(shù),單位為 ppm/C:

T.C.(ppm/℃) = [(C2 - Ci) / Ci(T2 - Ti)]106

這里:Ci = Ti下的電容量 C2 = T2下的電容量 且 T2> Ti 舉例:某一樣品的電容量測量值如下:

-55℃下1997 pF,25℃下2000 pF,125℃下2004 pF 則-55℃到25℃范圍內(nèi)的T.C.斜率為:

T.C. = [ (2000-1997) 106] / 1997[25-(-55)] = 18.7 ppm/℃ 25℃到125℃范圍內(nèi)的TC.斜率為:

T.C. = [ (2004-2000) 106] / 2000(125-25) = 20.0 ppm/℃

II類介質(zhì)的溫度系數(shù)是以在室溫基準(zhǔn)值上變化的百分?jǐn)?shù)來表示的,其變化量較線性介質(zhì)大了好幾個(gè)數(shù)量級。

B.貼片電容介質(zhì)的分類

I類介質(zhì)由于其采用非鐵電配方,以TiO2為主要成分(介電常數(shù)小于150), 因此具有最穩(wěn)定的性能。通過添加少量其他(鐵電體)氧化物,如CaTiOs或SrTi〇3,構(gòu)成 "擴(kuò)展型"溫度補(bǔ)償陶瓷則可表現(xiàn)出近似線性的溫度系數(shù),介電常數(shù)增加至500。兩種類型 的介質(zhì)都適用于電路中對穩(wěn)定性要求很高的電容器,即介電常數(shù)無老化或老化可忽略不計(jì), 低損耗(DF<0.001,或?qū)τ跀U(kuò)展型T.C.介質(zhì)DF<0.002),容量或介質(zhì)損耗隨電壓或頻率的變 化為零或可忽略不計(jì)以及線性溫度特性不超出規(guī)定的公差。

用“字母-數(shù)字-字母”這種代碼形式來表示I類陶瓷溫度系數(shù)的方法已經(jīng)被廣泛應(yīng)用, 并被美國電子工業(yè)協(xié)會(EIA)標(biāo)準(zhǔn)198所采用。

a

b

c

d

e

f

溫度系數(shù)的有效數(shù)字 (ppm/C)

a列的代碼

a列的乘數(shù)

c列的代碼

誤差范圍 (ppm/C)

e列的代碼

0.0

C

-1.0

0

30

G

1.0

M

-10

1

60

H

1.5

P

-100

2

120

J

2.2

R

-1000

3

250

K

3.3

S

-10000

4

500

L

4.7

T

+1

5

1000

M

7.5

U

+10

6

2500

N

 

+100

7

 

 

+1000

8

 

 

+10000

9

 

 

片式電容器中最常用的I類介質(zhì)是C0G,溫度系數(shù)為0 ppm/°C±30 ppm/°C

MIL標(biāo)準(zhǔn)中的NPO (負(fù)一正一零),其具有很平的溫度系數(shù)。

實(shí)際測量的溫度系數(shù)并非符合完美的線性關(guān)系,但只要其數(shù)值不超出E1A代碼最后一個(gè) 字母所規(guī)定的公差范圍就可以接受:

舉例:

C0G -0 ppm/°C±30 ppm/C (N220)

S2L -330 ppm/C±500 ppm/C (N330)

U2J -750 ppm/°C 土 120 ppm/C (N750)

M7G -100 ppm/C±30 ppm/C (P100)

II類介質(zhì)由節(jié)H中所介紹的鐵電體所組成。這類介質(zhì)的介電常數(shù)比I類介質(zhì)高得多,但 其性能隨溫度、電壓、頻率和時(shí)間變化的穩(wěn)定性較差。由于鐵電陶瓷性能的多樣化,有必要 根據(jù)溫度特性將此類介質(zhì)分為兩個(gè)亞類。
“穩(wěn)定的中K” II類瓷,以25C為基準(zhǔn),在-55C到125C的范圍內(nèi)最大溫度系數(shù)為土 15%。此種介質(zhì)的介電常數(shù)在600到4000之間,與EIA中X7R的性質(zhì)相符。
“高K” II類瓷,溫度系數(shù)超出X7R的水平。這種高K介質(zhì)的介電常數(shù)高達(dá) 4000?18000,但溫度系數(shù)曲線非常陡峭,原因在于居里點(diǎn)移動到室溫附近,出現(xiàn)了最大的 介電常數(shù)。

a

b

c

d

e

f

下限工作溫度℃

a列的代碼

上限工作溫度℃

c列的代碼

最大容量變化率 ±%AC

e列的代碼

+10

Z

+45

2

1.0

G

-30

Y

+65

4

1.5

H

-55

X

+85

5

2.2

J

 

 

+105

6

3.3

K

 

 

+125

7

4.7

L

 

 

+150

8

7.5

M

 

 

 

 

10.0

P

 

 

 

 

15.0

R

 

 

 

 

22.0

S

 

 

 

 

+22-33

T

 

 

 

 

+22-56

U

 

 

 

 

+22-82

V

用于片式電容器制造的最普遍的中K材料為X7R(-55C到125C內(nèi)A C最大值土 15%)。 而對于高K類材料,Z5U (+10C到+85C內(nèi)A C最大值+22%?-56%)和Y5V (-30C到+85℃^A C最大值+22%?-82%)最為常用。(本文鏈接:http://m.rifengwujin.cn/tech/2689.html)

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