用于電力開(kāi)關(guān)柜測(cè)溫用STM32F103VBT6能否用MCU中科芯CKS32F103VBT6替代？

大家好，今天來(lái)給大家分析下用于用于電力開(kāi)關(guān)柜測(cè)溫用STM32F103VBT6能否用MCU中科芯CKS32F103VBT6替代？STM32F103VBT6采用高性能的ARM Cortex™-M3  32位的RISC內(nèi)核，工作頻率為72MHz，F(xiàn)LASH 128K字節(jié)，SRAM可達(dá)20K字節(jié)，豐富的增強(qiáng)I/O端口和聯(lián)接到兩條APB總線的外設(shè)。STM32F103VBT6微控制器適用于廣泛的應(yīng)用，如UPS電源、電機(jī)控制器、手持設(shè)備、警報(bào)系統(tǒng)、可編程控制器等應(yīng)用場(chǎng)景，但是隨著STM32F103VBT6缺貨，越來(lái)越多的廠商在考慮一個(gè)問(wèn)題，能否用國(guó)產(chǎn)MCU如中科芯的CKS32F103VBT6來(lái)替代STM32F103VBT6？下面南山電子就來(lái)大家分析下：

經(jīng)過(guò)對(duì)比CKS32F103VBT6和STM32F103VBT6參數(shù)的對(duì)比可以發(fā)現(xiàn)：CKS32F103VBT6的資源和STM32F103VBT6是一致的，且在封裝上保持一致，內(nèi)存地址同樣也是一致。但是CKS32F103VBT6擁有更高的性?xún)r(jià)比。這意味著在硬件上，CKS32F103VBT6可以PIN-PIN替代STM32F103VBT6，無(wú)需電路改動(dòng)。
電力開(kāi)關(guān)柜是用途廣泛的電力設(shè)備，在長(zhǎng)期的帶負(fù)載運(yùn)行過(guò)程中，機(jī)械及電氣部件會(huì)出現(xiàn)松動(dòng)、破裂、銹蝕等問(wèn)題，從而出現(xiàn)熱異?，F(xiàn)象。據(jù)統(tǒng)計(jì)，電力開(kāi)關(guān)柜發(fā)生事故的原因很多是因?yàn)闊釂?wèn)題產(chǎn)生的。由于開(kāi)關(guān)柜內(nèi)部空間結(jié)構(gòu)狹小，電壓很高，無(wú)法進(jìn)行人工巡查測(cè)溫，所以直接測(cè)量開(kāi)關(guān)柜內(nèi)各節(jié)點(diǎn)溫度一直是電力系統(tǒng)檢測(cè)的難題。以CKS32F103VBT6或STM32F103VBT6的32位MCU設(shè)計(jì)的智能測(cè)溫傳感器，安裝在電力開(kāi)關(guān)柜的相應(yīng)位置，在線測(cè)量母線連接處、刀開(kāi)關(guān)觸頭和銅排等溫度后，MCU進(jìn)行相應(yīng)的計(jì)算并將測(cè)量結(jié)果通過(guò)RS485傳送到開(kāi)關(guān)柜所安裝的保護(hù)裝置或直接上傳至計(jì)算機(jī)監(jiān)控系統(tǒng)處，可以很好的解決電力開(kāi)關(guān)柜溫度過(guò)高的問(wèn)題。
中科芯采用寄存器級(jí)兼容設(shè)計(jì)，90%以上基于意法半導(dǎo)體芯片開(kāi)發(fā)的程序無(wú)需改動(dòng)可直接使用，并且集成開(kāi)發(fā)環(huán)境可以兼容，這使得更換芯片的時(shí)候無(wú)需重新編寫(xiě)代碼，可以更快的投入測(cè)試及生產(chǎn)中。近期市場(chǎng)上STM32F103VBT6缺貨，南山電子與中科芯深度合作，除了以上STM32F103VBT6可以用CKS32F103VBT6替代之外，還有STM32F103，STM32F030，STM32F051，STM32F405，STM32F415等均可以用中科芯國(guó)產(chǎn)芯片替代，歡迎廣大新老客戶來(lái)電垂詢(xún)，或者去我們的某寶店——南山E店自行選型。